先進半導体リサーチユニットの構成者（上殿 明良 教授、蓮沼 隆 准教授、重田 育照 理事）による論文が Int. Sym. Semiconductor Manufacturing（ISSM）2024 のベストペーパーに採択されました。

　ISSMは半導体生産技術におけるメジャーな国際会議であり、この会議で、当該リサーチユニットの研究成果がベストペーパーに採択されたことにより、本学における半導体研究のポテンシャルを国内外に示すことができました。

採択された論文：
A. Uedono, K. Kawakami, T. Kuribara, R. Hasunuma, Y. Harashima, Y. Shigeta, Z. Ni, Y. Ruolin, H. Nakamura, A. Notake, T. Moriya, K. Michishio, and S. Ishibashi, “Vacancy-type defects in thin HfO2 layers probed by monoenergetic positron beams”